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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210048779.9，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权功率半导体器件及其制造方法是由谭开洲;肖添;张嘉浩;杨永晖;蒋和全;李儒章;张培健;钟怡;王鹏;王育新;付晓君;唐昭焕设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且多个第二电阻场板结构在第一平面内呈放射状设置，从靠近元胞区的一侧延伸至远离元胞区的一侧，多个紧耦合的第二电阻场板结构形成一个向四周发散的更均匀的三维电场分布，优化了对元胞区空间耗尽区电荷的引导束缚效果，提高了整个功率半导体器件的耐压性能；终端区的第二电阻场板结构与元胞区的第一电阻场板结构均为第二代基于体内电阻场板的超结技术，工艺兼容，制造成本低，且工艺难度低；采用基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。

本发明授权功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有相对设置的正面和背面； 外延层，设置在所述衬底的正面上，其包括在第一平面内相邻设置的元胞区和终端区，所述终端区包围所述元胞区； 有源区，设置在所述元胞区中且位于所述外延层的顶部，其内形成有元胞结构； 多个第一电阻场板结构，设置在所述外延层的元胞区中，沿第一方向贯穿所述外延层延伸至所述衬底中，多个所述第一电阻场板结构沿第二方向在所述第一平面内延伸； 多个第二电阻场板结构，设置在所述外延层的终端区中，沿所述第一方向贯穿所述外延层延伸至所述衬底中，多个所述第二电阻场板结构在所述第一平面内呈放射状设置，从靠近所述元胞区的一侧延伸至远离所述元胞区的一侧； 第一电极，设置在所述外延层的元胞区上，且与各个所述第一电阻场板结构欧姆接触； 第二电极，设置在所述外延层的终端区靠近所述元胞区的一侧上，与各个所述第二电阻场板结构欧姆接触，且所述第二电极包围所述第一电极； 第三电极，设置在所述外延层的终端区远离所述元胞区的一侧上，与各个所述第二电阻场板结构欧姆接触，且所述第三电极包围所述第二电极； 第四电极，设置在所述衬底的背面上，且通过所述衬底分别与各个所述第一电阻场板结构及各个所述第二电阻场板结构欧姆接触； 其中，所述第一平面平行于所述衬底的正面，所述第一方向垂直于所述第一平面； 其中，所述第一电阻场板结构和所述第二电阻场板结构均包括场板介质层和半绝缘多晶硅材料，所述场板介质层位于所述半绝缘多晶硅材料的两侧。

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