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龙图腾网获悉广州润芯信息技术有限公司申请的专利一种宽频高增益低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114640313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111600135.8，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种宽频高增益低噪声放大器是由李丹;张弓;王日炎;周伶俐;张芳芳;贺黉胤设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽频高增益低噪声放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽频高增益低噪声放大器，包含：放大级电路、缓冲级电路、输出级电路和反馈电路，所述放大级电路依序通过所述缓冲级电路、输出级电路产生输出信号；所述放大级电路采用共源共栅电阻反馈放大结构，所述共源共栅电阻反馈放大结构包括共源共栅放大器、场效应晶体管M1和反馈电阻Rf，所述场效应晶体管M1的栅极用于连接输入信号，所述场效应晶体管M1的源极接地，所述场效应晶体管M1的漏极与所述共源共栅放大器连接。本发明在实现宽频匹配的同时，能够满足高增益和低噪声系数，同时实现输入输出同时匹配，且输入输出无需匹配网络结构，应用简单，且采用无电感元件设计来降低成本与芯片面积。

本发明授权一种宽频高增益低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种宽频高增益低噪声放大器，其特征在于，包含：放大级电路、缓冲级电路、输出级电路和反馈电路，所述放大级电路用接收输入信号，所述输出级电路用于连接负载，所述放大级电路依序通过所述缓冲级电路、输出级电路产生输出信号，所述反馈电路用于将所述放大级电路的输出端反馈回所述放大级电路的输入端； 所述放大级电路采用共源共栅电阻反馈放大结构，所述共源共栅电阻反馈放大结构包括共源共栅放大器、场效应晶体管M1和反馈电阻Rf，所述场效应晶体管M1的栅极用于连接输入信号，所述场效应晶体管M1的源极接地，所述场效应晶体管M1的漏极与所述共源共栅放大器连接； 所述共源共栅放大器包括场效应晶体管M2和场效应晶体管M3，所述场效应晶体管M3的漏极与所述场效应晶体管M1的漏极连接，所述场效应晶体管M3的栅极通过电阻R1连接有第一偏置电压，所述场效应晶体管M3的源极与所述场效应晶体管M2的漏极连接，所述场效应晶体管M2的栅极与所述场效应晶体管M1的栅极连接，所述场效应晶体管M2的源极连接电压VDD； 所述反馈电路包括场效应晶体管M8和场效应晶体管M9，所述场效应晶体管M9的栅极与所述场效应晶体管M3的漏极连接，所述场效应晶体管M9的源极与所述场效应晶体管M8的漏极共同连接所述场效应晶体管M1的栅极，所述场效应晶体管M9的漏极连接连接电压VDD，所述场效应晶体管M8的源极接地所述场效应晶体管M8的栅极连接有第三偏置电压； 所述放大级电路包括电容C1、电容C2和电容C4，所述电容C1的第一端用于连接输入信号，所述电容C1的第二端和所述场效应晶体管M1的栅极共同连接所述电容C2的第一端，所述电容C2的第二端与所述场效应晶体管M2的栅极连接，所述电容C4连接在所述场效应晶体管M4的栅极和所述场效应晶体管M1的漏极之间； 所述反馈电路包括电阻Rm和电容C3,所述场效应晶体管M9的源极通过所述电阻Rm和电容C3与所述电容C2的第一端连接。

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