株式会社国际电气今村友纪获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111599732.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质是由今村友纪;奥田和幸;竹田刚;原大介设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质，提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。提供一种技术，具备：第一等离子体电极单元377，其包含被赋予基准电位的作为第一基准电极的棒状电极370、以及被施加高频电力的作为第一施加电极和第二施加电极的棒状电极369、371中的至少一方，对气体进行等离子体激发；以及第二等离子体电极单元277，其包含被赋予基准电位的作为第二基准电极的棒状电极270、以及被施加高频电力且长度与第一施加电极和第二施加电极均不同的作为第三施加电极的棒状电极269、271，对气体进行等离子体激发。
本发明授权基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于，具备： 处理室，其处理基板； 气体供给部，其向所述处理室内供给气体； 第一等离子体电极单元，其包含被施加高频电力的第一施加电极和第二施加电极中的至少一方、以及被赋予基准电位的第一基准电极，对所述气体进行等离子体激发；以及 第二等离子体电极单元，其包含被赋予基准电位的第二基准电极、被施加高频电力且长度与所述第一施加电极和所述第二施加电极均不同的第三施加电极、以及被施加高频电力且长度与所述第三施加电极不同的第四施加电极，对所述气体进行等离子体激发。
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