株式会社日立功率半导体德光成太获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社日立功率半导体申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111583602.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由德光成太;白石正树;加藤丰;织田哲男设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种可靠性高的半导体装置，其通过比较简单的方法提高芯片的终端构造终端区域的高温高湿偏压，并且可抑制对设备特性的影响。具备配置于半导体基板的主面的有源区域和以包围所述有源区域的方式配置于所述主面的终端区域，所述终端区域具有形成于所述半导体基板的主面上的层间绝缘膜和以覆盖所述层间绝缘膜的方式形成的有机系保护膜，在所述层间绝缘膜与所述有机系保护膜之间设有膜厚为100nm以下的含有氮的绝缘膜。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 该半导体装置具备： 有源区域，其配置于半导体基板的主面；以及 终端区域，其以包围所述有源区域的方式配置于所述主面， 所述终端区域具有形成于所述半导体基板的主面上的层间绝缘膜以及以覆盖所述层间绝缘膜的方式形成的有机系保护膜， 在所述层间绝缘膜与所述有机系保护膜之间设有膜厚为20nm以上且50nm以下的含有氮的绝缘膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社日立功率半导体，其通讯地址为：日本茨城县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号