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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116347886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111570795.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成间隔排布的位线接触孔、与所述位线接触孔部分接触的位线接触以及位线结构，其中，所述位线结构至少包括导电层和绝缘盖帽层；所述绝缘盖帽层位于所述导电层上；在所述位线接触孔内形成填满所述位线接触孔的第一绝缘层；在所述位线结构的两侧壁形成具有空气夹层的绝缘结构，其中，所述空气夹层的高度大于所述位线结构中导电层的高度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成间隔排布的位线接触孔、与所述位线接触孔部分接触的位线接触以及位线结构，其中，所述位线结构至少包括导电层和绝缘盖帽层；所述绝缘盖帽层位于所述导电层上； 在所述位线接触孔内形成填满所述位线接触孔的第一绝缘层； 在所述位线结构的两侧壁依次形成第二绝缘层、牺牲层和第三绝缘层，暴露出部分所述牺牲层的表面； 沿第一方向刻蚀所述牺牲层，形成空气夹层，其中，所述第一方向为垂直于所述基底的方向，所述空气夹层的高度大于所述位线结构中导电层的高度； 在所述位线结构的上表面，所述第二绝缘层、所述空气夹层和所述第三绝缘层的表面形成初始第四绝缘层； 刻蚀位于所述位线结构顶部以上的所述初始第四绝缘层，形成覆盖所述第三绝缘层、所述空气夹层和所述第二绝缘层的第四绝缘层，得到位于所述位线结构两侧壁具有空气夹层的绝缘结构，其中，所述绝缘结构包括依次堆叠的所述第二绝缘层、所述空气夹层、所述第三绝缘层和所述第四绝缘层； 在相邻所述第四绝缘层之间形成存储节点接触； 在所述绝缘结构的表面、所述存储节点接触的表面和所述位线结构的上表面形成金属层； 刻蚀部分所述金属层，形成第一开口，以暴露出位于所述位线结构第一侧壁的绝缘结构的部分表面； 其中，刻蚀后剩余的所述金属层形成与所述存储节点接触电连接的着落垫，所述着落垫覆盖所述存储节点接触的表面、所述位线结构第二侧壁的绝缘结构的表面和所述位线结构的上表面； 沿所述第一方向继续刻蚀所述第一开口，刻蚀停止位置的高度高于所述位线结构中导电层的高度，形成第二开口；其中，靠近所述第一侧壁的空气夹层为具有第一高度的第一空气夹层，靠近所述第二侧壁的空气夹层为具有第二高度的第二空气夹层，且所述第一高度小于所述第二高度。

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