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龙图腾网获悉力来托半导体(上海)有限公司申请的专利具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111547635.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管是由许曙明;吴健;陈劲甫设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括用作漏极区域的半导体衬底和设置在衬底上表面上的外延区域。所述MOSFET器件包括在外延区中形成的多个体区域和多个源极区域。所述体区域设置在外延区域的上表面附近并且彼此横向间隔，并且每个源极区域设置在对应的体区域中靠近所述体区域的上表面。MOSFET器件包括具有多个平面栅和一沟槽栅的栅极结构。每个平面栅设置在外延区域的上表面上并与相应体区域重叠。所述沟槽栅形成为部分地通过所述外延区域并且在所述体区域之间，所述沟槽栅的上表面凹陷在所述外延区域的上表面之下。

本发明授权具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件，其特征在于，包括： -具有第一导电类型的半导体衬底，所述衬底用作所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域； -具有第一导电类型的外延区域，其设置于所述衬底的上表面； 多个具有第二导电类型的体区域，其形成于所述外延区域中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述体区域设置于靠近所述外延区域的上表面且在横向上相互隔开； 多个具有第一导电类型的源极区域，每个所述源极区域设置于对应的体区域中并靠近所述体区域的上表面；以及 -栅极结构，包括：一个或多个平面栅和一沟槽栅， 每个所述的平面栅位于所述外延区域的上表面并与相应的体区域的至少一部分重叠； 所述沟槽栅形成于至少部分的所述外延区域中和所述体区域之间；所述沟槽栅的一上表面设置为凹陷于所述外延区域的所述上表面，且所述沟槽栅的正上方未设置平面栅，其中，所述沟槽栅上设置凹陷，使得其与所述平面栅的交叠面积变小，距离被拐弯拉大，耦合电容被缩小; 其中所述沟槽栅包括： 导体或半导体结构；和 介电层，其至少围绕所述导体或半导体结构的侧墙、底部和顶部，所述介电层将所述导体或半导体结构与所述外延区域电隔离。

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