苏州东微半导体股份有限公司林敏之获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州东微半导体股份有限公司申请的专利IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111534459.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权IGBT器件是由林敏之;刘磊;刘伟;袁愿林设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，包括n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个p型体区，位于n型半导体层内且介于相邻的p型体区之间的栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，所述栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；若干个p型体区中，至少有一个p型体区具有第一掺杂浓度并定义为第一p型体区，且至少有一个p型体区具有第二掺杂浓度并定义为第二p型体区，第一p型体区的第一掺杂浓度小于第二p型体区的第二掺杂浓度；至少有一个与第一p型体区相邻的栅沟槽内的屏蔽栅外接栅极电压，剩余的栅沟槽内的屏蔽栅外接发射极电压。
本发明授权IGBT器件在权利要求书中公布了：1.IGBT器件，其特征在于，包括： p型集电极区； 位于所述p型集电极区之上的n型半导体层； 位于所述n型半导体层内的若干个p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区； 位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述p型体区之间的栅沟槽，位于所述栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于所述栅沟槽的上部内的栅极，所述栅极、所述屏蔽栅与所述n型半导体层之间互相绝缘隔离； 若干个所述p型体区中，至少有一个所述p型体区具有第一掺杂浓度并定义为第一p型体区，且至少有一个所述p型体区具有第二掺杂浓度并定义为第二p型体区，所述第一p型体区的第一掺杂浓度小于所述第二p型体区的第二掺杂浓度； 至少有一个与所述第一p型体区相邻的所述栅沟槽内的所述屏蔽栅外接栅极电压，剩余的所述栅沟槽内的所述屏蔽栅外接发射极电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州东微半导体股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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