株式会社新川瀬山耕平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社新川申请的专利半导体装置的制造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115380369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180026419.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体装置的制造装置是由瀬山耕平;清水孝寛设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造装置在说明书摘要公布了：一种制造半导体装置的制造装置10可进一步提高芯片向对象物的接合品质，包括：晶片保持装置12、具有非接触地保持对象芯片100的PU头40的PU装置14、从切割带130的背面侧朝所述对象芯片100照射能量而使所述切割带130的粘着力降低的能量照射装置16、以及控制器22，所述切割带130的粘着层是伴随所述能量的照射而粘着力下降并且使所述对象芯片100上浮微小距离的自剥离粘着层，所述控制器22在摘离准备期间，对所述PU头40的位置进行控制，以使得即便所述对象芯片100上浮而所述对象芯片100与所述PU头40也不会接触。
本发明授权半导体装置的制造装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造装置，是将具有接合面和与所述接合面相向的保持面的芯片接合至接合对象来制造半导体装置的制造装置，所述半导体装置的制造装置的特征在于包括： 晶片保持装置，将所述保持面被粘着保持在切割带的表面上的一个以上的所述芯片与所述切割带一同予以保持； 拾取装置，具有非接触地保持所述一个以上的芯片中的作为拾取对象的芯片即对象芯片的拾取头，从所述切割带拾取所述对象芯片； 能量照射装置，从所述切割带的背面侧朝向所述对象芯片，区域选择性地照射作为光或热的能量，使所述切割带的粘着力降低；以及 控制器，对所述拾取装置及能量照射装置的动作进行控制， 所述切割带的粘着层是伴随所述能量的照射而粘着力下降并且使所述对象芯片上浮微小距离的自剥离粘着层， 所述控制器在为了所述拾取而使所述拾取头接近所述对象芯片后到使所述对象芯片从所述切割带摘离的摘离准备期间，对所述拾取头的位置进行控制，以使得即便所述对象芯片上浮而所述对象芯片与所述拾取头也不会接触。
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