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龙图腾网获悉无锡中微高科电子有限公司申请的专利滤波器的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114189226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111488378.7，技术领域涉及：H03H9/05；该发明授权滤波器的封装结构及其封装方法是由钱立伟;王成迁;戴飞虎;杨诚;高艳设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本滤波器的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种滤波器的封装结构，在滤波器芯片上设有管脚，在管脚上设有金属焊垫，在金属焊垫上设有互联柱，在互联柱与金属焊垫的外侧设有绝缘层，在绝缘层的上方设有钝化层，在钝化层的上方设有硅衬底，在硅衬底上开设有互联孔，在互联柱上设有第一再布线层，第一再布线层的下端部分与互联柱连接，在第一再布线层的上端部分上设有第二再布线层，在第二再布线层上设有互联凸点。本发明通过在硅衬底背面制作互联孔实现电气互联，同时制备一层绝缘层来形成凹槽结构，制备谐振器件所需的空腔结构，制作方法简便，金属键合操作简单，密闭性良好，适合大规模量产使用。

本发明授权滤波器的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种滤波器的封装方法，其特征是该方法包括以下步骤： S1、取硅衬底（7），在硅衬底（7）的上表面通过干法刻蚀工艺刻蚀出互联孔（10）； S2、在硅衬底（7）的上表面沉积出钝化层（9）； S3、在对应互联孔（10）位置的钝化层（9）的上表面制作出第一再布线层（4）； S4、在第一再布线层（4）与钝化层（9）的上表面制作出绝缘层（5）； S5、在绝缘层（5）上形成第一凹槽与第二凹槽，第一凹槽使互联孔（10）一侧的第一再布线层（4）的部分上表面露出，第二凹槽使相邻互联孔（10）之间的钝化层（9）的部分上表面露出； S6、在第一凹槽作出互联柱（6），互联柱（6）的高度低于绝缘层（5）的厚度，备用； S7、取滤波器芯片（2），在芯片工作区域外侧的管脚（1）上做出金属焊垫（3）； S8、通过金属键合工艺将步骤S7得到的滤波器芯片与步骤S6得到的硅衬底（7）倒置后通过金属焊垫（3）与互联柱（6）实现互联，形成封装体半成品； S9、通过研磨和干法刻蚀的工艺，使互联孔（10）内的第一再布线层（4）的底部露出，形成封装体半成品； S10、利用再布线工艺在第一再布线层（4）上继续实现若干层再布线，形成第二再布线层（8），在第二再布线层（8）上制作互联凸点（11），使第二再布线层（8）与外部实现电连接，最后将完成的封装体切成单颗封装芯片。

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