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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利伪栅平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111516185.8，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权伪栅平坦化方法是由程继设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本伪栅平坦化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种伪栅平坦化方法，包括步骤：刻蚀形成包括伪栅层、第一掩模层和第二掩模层的初始伪栅结构，并使第一掩模层的材料和第二掩模层的材料不同；对第二掩模层进行改性以得到改性掩模层，使所述改性掩模层和所述第一掩模层在后续的化学机械平坦化工艺中的刻蚀速度基本一致；形成阻挡层和填充层；采用化学机械平坦化工艺去除部分所述填充层、部分所述阻挡层、所述改性掩模层、所述第一掩模层和部分所述伪栅层，以得到若干高度相同的伪栅结构。使得能够克服前程不同初始伪栅结构高度差带来的负载效应，得到更高精度平坦化效果，以得到高度一致的伪栅结构。

本发明授权伪栅平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种伪栅平坦化方法，其特征在于，包括步骤： S1：刻蚀形成若干初始伪栅结构，使所述初始伪栅结构包括依次设置于衬底表面的伪栅层、第一掩模层和第二掩模层，并使所述第一掩模层的材料和所述第二掩模层的材料不同； S2：对所述第二掩模层进行改性，以得到改性掩模层，包括S21：在所述衬底的上表面和所述初始伪栅结构的表面形成有机薄膜，且使所述有机薄膜覆盖所述第二掩模层；S22：对所述有机薄膜进行回刻处理，直至露出全部所述第二掩模层；S23：对所述第二掩模层进行改性，以得到改性掩模层；S24：去除剩余部分的所述有机薄膜； S3：形成覆盖所述衬底的上表面和包覆所述初始伪栅结构的表面的阻挡层后，在所述阻挡层的上表面形成填充层，且使所述填充层覆盖所述阻挡层； S4：采用化学机械平坦化工艺去除部分所述填充层、部分所述阻挡层、所述改性掩模层、所述第一掩模层和部分所述伪栅层，以得到若干高度相同的伪栅结构，包括：S41：进行第一次化学机械平坦化工艺去除部分所述填充层，直至露出位于最高的所述初始伪栅结构的上表面的所述阻挡层，且使对所述填充层的去除速率大于对所述阻挡层的去除速率；S42：进行第二次化学机械平坦化工艺去除部分所述填充层、部分所述阻挡层、所述改性掩模层、所述第一掩模层和部分所述伪栅层，且使对所述填充层的去除速率小于对所述阻挡层的去除速率，以得到若干高度相同的伪栅结构。

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