杭州电子科技大学王世场获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114118396B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111466078.9，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路是由王世场;陈帅群;梁燕;卢振洲设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个激励电压源VD串联组成。N型局部有源忆阻器是一种在DCV‑I特性曲线中呈现N型负微分电导的忆阻器。通过对该具有特殊数学模型的N型局部有源忆阻器和电感串联构成神经元电路，施加合适的电压激励，使N型局部有源忆阻器具有放大小信号的能力，产生复杂的神经形态行为，为N型局部有源忆阻器在神经形态计算中的应用奠定了一定的基础。
本发明授权一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路在权利要求书中公布了：1.一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路，其特征在于：由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个激励电压源VD组成；激励电压源VD的负极与地相连，正极与电感L的一端连接，电感L的另一端与N型局部有源忆阻器的一端与相连，N型局部有源忆阻器的另一端接地； 所述N型局部有源忆阻器数学模型为： 其中i,v,x分别为流经N型局部有源忆阻器的电流、N型局部有源忆阻器两端的电压和N型局部有源忆阻器的状态变量，GM为忆导函数，d1,d0,τ,α都为常数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号