上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司方书农获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司申请的专利KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116203794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111444417.3，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法是由方书农;王溯;耿志月;崔中越设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法。具体地，本发明公开了一种包含如式Ⅰ所示的光产酸剂的KrF厚膜光刻胶组合物，由该光刻胶组合物形成的光刻胶胶膜矩形性佳。
本发明授权KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种KrF厚膜光刻胶组合物，其特征在于，其包括如式Ⅰ所示的光产酸剂； 式Ⅰ中，n为0、1、2或3； R1为-COOR1-1或C1-4烷基；R1-1为C1-4烷基； R2为C1-4烷基； 所述的KrF厚膜光刻胶组合物包括：光敏聚合物、三乙醇胺、溶剂和式Ⅰ所式的光产酸剂； 所述的光敏聚合物为单体A、单体B和单体C进行加聚反应得到的光敏聚合物，所述的单体A为所述的单体B为所述的单体C为所述的单体A、所述的单体B和所述的单体C的摩尔比为66.5:8.5:25。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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