格芯新加坡私人有限公司W·C·劳获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利自旋二极管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111412954.X，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权自旋二极管器件是由W·C·劳;G·D·H·翁;山根一阳;C·S·希特;W·S·刘设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋二极管器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种自旋二极管器件。根据各种实施例，一种自旋二极管器件可以包括磁隧道结堆叠。磁隧道结堆叠可以包括下磁性层、位于下磁性层上方的隧道势垒层、以及位于隧道势垒层上方的上磁性层。下磁性层可以包括下磁性膜。隧道势垒层包括绝缘材料。上磁性层可以包括上磁性膜。下磁性膜和上磁性膜中的每一者可以具有垂直磁各向异性。
本发明授权自旋二极管器件在权利要求书中公布了：1.一种微波检测器件，包括： 自旋二极管器件，其被配置为检测以第一目标振荡频率和第二目标振荡频率中的一者振荡的微波信号，所述自旋二极管器件包括： 磁隧道结堆叠，其设置在所述自旋二极管器件的下电极与上电极之间，所述磁隧道结堆叠包括： 包括下磁性膜的下磁性层； 位于所述下磁性层上方的隧道势垒层，所述隧道势垒层包括绝缘材料；以及 位于所述隧道势垒层上方的上磁性层，所述上磁性层包括上磁性膜； 其中所述下磁性膜和所述上磁性膜中的每一者具有垂直磁各向异性， 其中所述下磁性膜包括与第一固有铁磁共振频率对应的第一垂直磁各向异性强度，所述第一固有铁磁共振频率与所述第一目标振荡频率对应， 其中所述上磁性膜包括与第二固有铁磁共振频率对应的第二垂直磁各向异性强度，所述第二固有铁磁共振频率与所述第二目标振荡频率对应， 其中所述第二垂直磁各向异性强度不同于所述第一垂直磁各向异性强度， 其中所述第二固有铁磁共振频率不同于所述第一固有铁磁共振频率。
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