苹果公司S·达布拉尔获国家专利权
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龙图腾网获悉苹果公司申请的专利阵列结构的裸片缝合和收获获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111351318.0，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权阵列结构的裸片缝合和收获是由S·达布拉尔;翟軍;胡坤忠;R·M·卡蒙福特设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列结构的裸片缝合和收获在说明书摘要公布了：本申请涉及阵列结构的裸片缝合和收获。更具体而言，本发明描述了具有裸片到裸片布线的多裸片结构。在一个实施方案中，每个裸片被图案化到同一半导体基板中，并且裸片可在后端晶圆加工期间与裸片到裸片布线互连。可形成部分金属密封件以适应该裸片到裸片布线、可编程切片，并且可形成全金属密封件和部分金属密封件的各种组合。这也可扩展到使用堆叠晶圆或晶圆上芯片技术形成的三维结构。
本发明授权阵列结构的裸片缝合和收获在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，所述芯片结构包括： 半导体基板； 图案化到所述半导体基板中的第一裸片的第一前道工序FEOL裸片区域，所述第一FEOL裸片区域包括第一器件区域和第一输入输出区域； 跨越所述第一器件区域和所述第一输入输出区域的后道工序BEOL堆积结构； 与所述第一输入输出区域相邻的芯片边缘； 其中所述BEOL堆积结构包括裸片到裸片布线，所述裸片到裸片布线连接在所述第一输入输出区域与在所述芯片边缘处的裸片到裸片布线的端子端之间；并且 其中： 所述半导体基板、所述第一FEOL裸片区域和BEOL堆积结构形成第一裸片级，所述芯片结构还包括混合键合到所述第一裸片级的第二裸片级，所述第二裸片级包括图案化到第二半导体基板中的第二裸片的第二FEOL裸片区域；或者 所述芯片结构还包括与所述BEOL堆积结构混合键合的第二芯片以及横向围绕所述BEOL堆积结构上的所述第二芯片的封装材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苹果公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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