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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111346278.0，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种显示基板及其制备方法、显示装置是由张晶晶;张粲;李伟;王灿;牛晋飞;丛宁设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，用以在避免窜扰的同时，提高光取出效率以及分辨率。本申请实施例提供的一种显示基板，显示基板包括：多个阵列排布的发光器件，位于发光器件出光侧的光子晶体层，以及位于光子晶体层背离发光器件一侧的多个光致发光层；光子晶体层包括：与发光器件一一对应的微腔组；微腔组包括多个点缺陷微腔；发光器件在光子晶体层的正投影覆盖微腔组。

本发明授权一种显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：多个阵列排布的发光器件，位于所述发光器件出光侧的光子晶体层，以及位于所述光子晶体层背离所述发光器件一侧的多个光致发光层； 所述光子晶体层包括：与所述发光器件一一对应的微腔组；所述微腔组包括多个点缺陷微腔；所述发光器件在所述光子晶体层的正投影覆盖所述微腔组； 所述发光器件包括：在所述光子晶体层背离所述光致发光层一侧依次叠层设置的缓冲层、N型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层、P型掺杂半导体层； 所述光子晶体层、所述缓冲层、所述N型掺杂半导体层、所述多重量子阱半导体层以及所述P型掺杂半导体层包括氮化镓； 所述光子晶体层还包括与所述发光器件一一对应的所述微腔组之间的连接部分，所述连接部分也包括多个点缺陷微腔； 阵列排布的多个所述发光器件出射蓝光； 多个所述光致发光层包括：吸收蓝光出射红光的红光光致发光层，以及吸收蓝光出射绿光的绿光光致发光层； 所述显示基板包括多个像素，每一所述像素包括红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素；所述红色子像素对应的区域利用吸收蓝光出射红光的红光光致发光层实现出射红光，所述绿色子像素对应的区域利用吸收蓝光出射绿光的绿光光致发光层实现出射绿光，所述蓝色子像素对应的区域出射蓝光。

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