X-FAB全球服务有限公司曹学舟获国家专利权
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龙图腾网获悉X-FAB全球服务有限公司申请的专利降低的闪变噪声的晶体管布局获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111344327.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权降低的闪变噪声的晶体管布局是由曹学舟;田世瑶;米凯琳娜·翁设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低的闪变噪声的晶体管布局在说明书摘要公布了：一种晶体管包括：扩散区，包括漏极、源极、以及在漏极与源极之间的沟道；围绕扩散区的隔离区，以用于电隔离晶体管；以及栅极多晶硅，与沟道的至少一部分重叠，其中，扩散区沿沟道宽度方向横向延伸超过栅极多晶硅。
本发明授权降低的闪变噪声的晶体管布局在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，包括： 扩散区，包括漏极、源极、以及在所述漏极与所述源极之间的沟道，其中，所述扩散区具有十字形，所述十字形包括第一对相对的臂和第二对相对的臂，并且所述源极和所述漏极位于所述第一对相对的臂的各自的臂中； 围绕所述扩散区的隔离区，用于电隔离所述晶体管；以及 栅极多晶硅，所述栅极多晶硅为H形，具有一对平行的矩形部分，所述矩形部分由横梁部分连接并且所述栅极多晶硅与所述沟道的至少一部分重叠，其中，所述扩散区的所述第二对相对的臂沿沟道宽度方向延伸超过所述栅极多晶硅的所述一对平行的矩形部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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