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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种金属栅器件制造方法、设备、介质、器件及光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111320010.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种金属栅器件制造方法、设备、介质、器件及光刻机是由夏禹;何志斌设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属栅器件制造方法、设备、介质、器件及光刻机在说明书摘要公布了：本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种金属栅器件制造方法及与之相应的设备、介质、器件和光刻机；通过有选择地构建光刻区域，使器件的栅氧“下埋”，一方面解决了器件过高的问题；另一方面，使得金属栅的区域相对下沉，避免了出现大块金属栅在研磨中被过度去除的问题。

本发明授权一种金属栅器件制造方法、设备、介质、器件及光刻机在权利要求书中公布了：1.一种金属栅器件制造方法，用于均匀去除虚设多晶硅和或避免金属栅被过度去除，其特征在于，包括：掩膜定位开窗步骤（20）：打开第一器件区的硬掩膜（301），形成第一作业区（100）；所述第一作业区（100）包括第一隔离区的部分区域和第一活动区AA的部分区域；所述第一隔离区打开的部分和所述第一活动区AA打开的部分，两者的外表层齐平或台阶高度小于第一预设台阶高度；活动区潜入步骤（30）：通过第一刻蚀制程，去除所述第一作业区（100）内所述第一活动区AA表层预设第一潜入深度的第一材料；所述第一隔离区与所述第一活动区AA形成预设深度的第一凹陷区（111）；调整修复步骤（40）：修复所述第一凹陷区（111）的侧壁及底面；在所述侧壁和所述底面生成第一修复膜（401）；所述第一作业区（100）中由所述第一刻蚀制程损伤的所述第一活动区AA的表层部分；被所述第一修复膜（401）覆盖或填充；再次潜入步骤（50）：通过第二刻蚀制程，去除所述第一修复膜（401）；同时或进一步去除所述第一作业区（100）中所述第一隔离区的表层介质；所述第一隔离区用于器件功能区的隔离或功能区的划分，所述第一隔离区与所述第一活动区AA形成预设深度的第二凹陷区（222）；栅氧构造步骤（60）：生长第一栅氧层（501）到所述第二凹陷区（222），使所述第一栅氧层（501）达到预设的第一厚度；所述第一栅氧层（501）的表面与所述第一隔离区位于所述第一作业区（100）部分的表面形成第三凹陷区（333）；所述第三凹陷区（333）的台阶高度小于第三预设台阶高度；金属栅制备步骤（70）：制作第一金属栅（601）到所述第三凹陷区（333）；所述第一金属栅（601）由层间介质层（701）包围并达到第四预设台阶高度；所述第一器件区为高压器件区；所述第一器件区所在的同一衬底上还同步制备有第二器件区，所述第二器件区的额定工作电压为第二耐压值，所述第一器件区的额定工作电压为第一耐压值；所述第一耐压值高于所述第二耐压值预设的倍数N；其中，N为大于1的实数。

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