三菱电机株式会社野口智明获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111305821.2，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法是由野口智明;中西洋介设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于，在碳化硅半导体装置中，对阈值电压的变动进行抑制，对阻挡金属处的裂缝的产生进行抑制。碳化硅半导体装置101具有：碳化硅基板11；半导体层12，其形成于碳化硅基板11之上；栅极电极18，其隔着栅极绝缘膜26与半导体层12相对；层间绝缘膜19，其将栅极电极18覆盖；阻挡金属，其形成于层间绝缘膜19之上；以及上表面电极，其将阻挡金属覆盖，阻挡金属是由阻挡金属21和阻挡金属22构成的两层构造，层间绝缘膜19侧的阻挡金属21由与阻挡金属22相同的金属构成，与阻挡金属22相比厚度小。
本发明授权碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其具有： 碳化硅基板； 半导体层，其形成于所述碳化硅基板之上； 栅极电极，其隔着栅极绝缘膜与所述半导体层相对； 层间绝缘膜，其将所述栅极电极覆盖； 接触孔，其形成于所述层间绝缘膜，使所述半导体层露出； 阻挡金属，其形成于所述接触孔内以及所述层间绝缘膜之上；以及 上表面电极，其将所述阻挡金属覆盖， 所述阻挡金属是由第1阻挡金属和第2阻挡金属构成的两层构造， 所述层间绝缘膜侧的所述阻挡金属即所述第1阻挡金属由与所述第2阻挡金属相同的金属构成，与所述第2阻挡金属相比厚度小， 在所述层间绝缘膜与所述上表面电极之间存在没有形成所述第2阻挡金属但形成有所述第1阻挡金属的部分， 在所述接触孔处的所述半导体层与所述上表面电极之间存在没有形成所述第2阻挡金属但形成有所述第1阻挡金属的部分。
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