意法半导体(克洛尔2)公司E·布雷扎获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利双极晶体管及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111216099.5，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权双极晶体管及制造方法是由E·布雷扎;A·高蒂尔设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极晶体管及制造方法在说明书摘要公布了：公开了双极晶体管及制造方法。双极晶体管包括集电极区，该集电极区具有位于衬底中的第一掺杂部分和覆盖并与第一掺杂部分的区域接触的第二掺杂部分。集电极区具有掺杂分布，该掺杂分布在第一部分具有峰值，并且从该峰值到第二部分减小。
本发明授权双极晶体管及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于在集成电路内制造至少一个双极晶体管的方法，包括： 通过在半导体衬底内注入掺杂剂来产生集电极区，以便形成所述集电极区的第一掺杂部分，并且形成所述集电极区的第二掺杂部分，所述第二掺杂部分覆盖并且接触所述第一掺杂部分的区域； 其中形成所述第二掺杂部分包括： 从所述区域的表面外延生长非掺杂半导体材料；以及 从所述第一掺杂部分在外延的所述材料中扩散掺杂剂； 其中所述扩散至少由所述外延生长激活；并且 控制所述扩散掺杂剂； 其中所述集电极区的所述第二掺杂部分与所述晶体管的基区接触， 其中所述非掺杂半导体材料的外延生长包括在离所述基区一定距离处停止外延生长，并且 其中控制包括：通过在所述非掺杂半导体材料中原位掺杂碳来继续外延生长，以便在所述第二掺杂部分中形成所述半导体材料的含碳的上层，所述上层与所述基区接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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