长鑫存储技术有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110980822.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘翔设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。本申请提供的半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成衬底，所述衬底包括本体部以及位于所述本体部表面的突起部；形成位于所述本体部上、且环绕所述突起部的侧壁分布的栅电极；形成位于所述本体部中、且分布于所述栅电极的相对两侧的第一掺杂区和第二掺杂区。本申请一些实施例增大了具有所述栅电极、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的MOS器件中的沟道长度，降低了短沟道效应、并减少了漏电流，改善了半导体结构的电性能和良率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 形成衬底，所述衬底包括本体部以及位于所述本体部表面的突起部，包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括第一轻掺杂区；形成覆盖于所述初始衬底表面的初始绝缘层；刻蚀所述初始绝缘层和所述初始衬底，形成包括本体部以及位于所述本体部表面的突起部的衬底、以及位于所述突起部表面的绝缘层，所述突起部中包括所述第一轻掺杂区，所述本体部中无所述第一轻掺杂区； 形成位于所述本体部上、且环绕所述突起部的侧壁分布的栅电极； 形成位于所述本体部中、且分布于所述栅电极的相对两侧的第一掺杂区和第二掺杂区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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