长鑫存储技术有限公司陈荣华获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110821360.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由陈荣华设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括基底，所述基底内具有第一掺杂区；设置在所述第一掺杂区内的有源柱组，所述有源柱组包括呈阵列排布的四个有源柱，至少一个所述有源柱上设置有缺口，所述缺口朝向所述有源柱组的行中心线和或列中心线。本申请实施例通过在至少一个有源柱上设置缺口，增加了缺口朝向该有源柱的中心凹陷的底壁与同一行或者同一列上另一个有源柱之间的距离，进而增加位于该缺口与缺口正对的面之间的电子的迁移路径，降低设置有缺口的有源柱与位于同一行或者同一列上另一个有源柱之间的发生漏电的风险，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底内具有第一掺杂区； 设置在所述第一掺杂区内的有源柱组，所述有源柱组包括呈阵列排布的四个有源柱，至少一个所述有源柱上设置有缺口，所述缺口朝向所述有源柱组的行中心线和或列中心线，沿垂直于所述基底的方向，每个所述有源柱均包括沟道区以及分别设置在所述沟道区两端的源极区和漏极区； 多个隔离结构，每个所述隔离结构设置在每个所述有源柱组中多个有源柱围成的区域内，且所述隔离结构的底面高于所述漏极区的顶面。
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