铠侠股份有限公司;SK 海力士公司秋山直纪获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司;SK 海力士公司申请的专利磁存储装置以及磁存储装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110733784.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁存储装置以及磁存储装置的制造方法是由秋山直纪;吉野健一;河佳英设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储装置以及磁存储装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。磁存储装置包括第1开关元件和第2开关元件、分别设置在第1开关元件和第2开关元件上的第1层叠体和第2层叠体、第1层叠体的侧面上的第1绝缘体以及第2层叠体的侧面上的第2绝缘体。第1开关元件和第2开关元件各自包含可变电阻材料。第1层叠体和第2层叠体各自包括第1铁磁性层、第2铁磁性层以及第1铁磁性层与第2铁磁性层之间的绝缘层。第1绝缘体与第2绝缘体之间的最窄的间隔比第1开关元件与第2开关元件之间的最窄的间隔窄。
本发明授权磁存储装置以及磁存储装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储装置，具备： 第1开关元件和第2开关元件，各自包含可变电阻材料； 第1层叠体和第2层叠体，分别设置在所述第1开关元件和所述第2开关元件上，所述第1层叠体和所述第2层叠体各自包括第1铁磁性层、第2铁磁性层以及所述第1铁磁性层与所述第2铁磁性层之间的绝缘层； 所述第1层叠体的侧面上的第1绝缘体；以及 所述第2层叠体的侧面上的第2绝缘体， 所述第1绝缘体与所述第2绝缘体之间的最窄的间隔比所述第1开关元件与所述第2开关元件之间的最窄的间隔窄， 所述第1绝缘体和所述第2绝缘体具备以下材料，该材料具有比所述第1开关元件和所述第2开关元件低的蚀刻速率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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