美光科技公司卡迈勒·M·考尔道获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含氧化物半导电材料的晶体管及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110618742.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权包含氧化物半导电材料的晶体管及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法是由卡迈勒·M·考尔道;黄广宇;刘海涛;合田晃设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含氧化物半导电材料的晶体管及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法在说明书摘要公布了：本专利申请涉及包含氧化物半导电材料的晶体管，且涉及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法。一种晶体管包括下部接触结构、沟道结构、介电填充结构和上部接触结构。所述下部接触结构包括第一氧化物半导电材料。所述沟道结构接触所述下部接触结构并且包括第二氧化物半导电材料，所述第二氧化物半导电材料的一或多个金属的原子浓度比所述第一氧化物半导电材料的小。所述介电填充结构接触所述沟道结构的内侧表面并且具有相对于所述沟道结构凹进的上部表面。所述上部接触结构包括第三氧化物半导电材料，所述第三氧化物半导电材料的所述一或多个金属的原子浓度比所述沟道结构的大。所述上部接触结构包括与所述介电填充结构的所述上部表面和所述沟道结构的所述内侧表面接触的第一部分，以及与所述沟道结构的所述上部表面接触的第二部分。
本发明授权包含氧化物半导电材料的晶体管及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其包括： 下部接触结构，其包括具有第一原子浓度的铟的第一氧化物半导电材料； 沟道结构，其与所述下部接触结构物理接触并且包括第二氧化物半导电材料，所述第二氧化物半导电材料具有小于所述第一原子浓度的铟的第二原子浓度的铟； 介电填充结构，其与所述沟道结构的内侧表面物理接触且具有相对于所述沟道结构的上部表面竖直凹进的上部表面；以及 上部接触结构，其包括第三氧化物半导电材料，所述第三氧化物半导电材料具有大于所述第二原子浓度的铟的第三原子浓度的铟，所述上部接触结构和所述下部接触结构中的每一者中的铟的量为非均匀的，且所述铟的量沿远离所述沟道结构延伸的方向增加，所述上部接触结构包括： 第一部分，其与所述介电填充结构的所述上部表面和所述沟道结构的所述内侧表面物理接触；以及 第二部分，其与所述沟道结构的所述上部表面物理接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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