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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110402723.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺是由赵晓锋;李苏苏;于志鹏;温殿忠设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全介质隔离硅磁敏三极管及其制作工艺，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅1、衬底硅2和埋层二氧化硅3，在器件硅1上设置有硅磁敏三极管，介质隔离环与埋层二氧化硅3形成全介质隔离结构。本发明公开的全介质隔离硅磁敏三极管被介质层包裹，有效实现元器件间隔离，同时限定了载流子在磁场作用下的偏转程度，改善了硅磁敏三极管的磁灵敏度和温度特性。此外，本发明还公开了融合微机电系统技术和SOI工艺制备得到的硅磁敏三极管，实现了小型化和集成化，为高性能硅磁敏三极管的批量生产奠定了基础。

本发明授权一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种全介质隔离硅磁敏三极管的制作工艺，用于制作一种全介质隔离硅磁敏三极管，其特征在于，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅1、衬底硅2和埋层二氧化硅3，在器件硅1上设置有硅磁敏三极管， 在所述器件硅1上还制作有基极负载电阻Rb和集电极负载电阻RL，在器件硅1的上表面采用感应耦合等离子体刻蚀基区深槽，通过基区深槽注入硼离子，形成p+重掺杂区，作为基区， 介质隔离环与埋层二氧化硅3形成全介质隔离结构， 所述介质隔离环包括介质隔离环一51、介质隔离环二52和介质隔离环三53，三者均设置在器件硅1中，三个介质隔离环相互独立； 所述硅磁敏三极管设置在介质隔离环一51内部，所述基极负载电阻Rb设置在介质隔离环二52内部，集电极负载电阻RL设置在介质隔离环三53内部； 所述制作工艺包括以下步骤： 步骤1，清洗晶圆一，并在晶圆一上表面一次光刻，刻蚀对版标记； 步骤2，清洗晶圆二，双面生长二氧化硅层； 步骤3，将晶圆一下表面与晶圆二上表面进行键合； 步骤4，二次光刻，将晶圆一上表面的对版标记转移至晶圆二的下表面； 步骤5，将晶圆一上表面进行减薄处理，并抛光、清洗形成SOI晶圆； 步骤6，三次光刻，在器件硅1的上表面刻蚀介质隔离环的隔离槽和基区深槽； 步骤7，向基区深槽内注入硼离子，形成p+重掺杂区； 步骤8，在器件硅1的上表面生长二氧化硅层，填充隔离槽和基区深槽，形成介质隔离环和基区； 步骤6中，先在晶圆一下表面刻蚀10-20μm深度的隔离槽，然后将晶圆一下表面与晶圆二上表面进行键合并形成SOI晶圆后，在器件硅1的上表面继续刻蚀隔离槽直至两次刻蚀形成的隔离槽穿通，之后填充介质并进行平坦化处理。

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