广州集成电路技术研究院有限公司王仁里获国家专利权
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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利半导体器件的制作方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110365936.4，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体器件的制作方法和半导体器件是由王仁里;许祖英;林盈志设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括，在目标层的上方依次设置掩模层和光阻层；在所述光阻层中形成第一切口，以在所述掩模层中形成第一暴露区；通过反应在所述掩模层的第一暴露区中形成掩模层阻挡区；在所述光阻层中形成第二切口，以在所述掩模层中形成第二暴露区；根据所述掩模层阻挡区和所述第二暴露区对所述目标层进行蚀刻，以在所述目标层中形成多个接触开口。本发明的制作方法形成的接触开口工艺流程简单，提高工艺效率。
本发明授权半导体器件的制作方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在目标层的上方依次设置掩模层和光阻层； 在所述光阻层中形成多个第一切口，以在所述掩模层中形成多个第一暴露区； 通过反应在所述掩模层的第一暴露区中形成多个掩模层阻挡区，所述掩模层阻挡区从所述掩模层表面延伸至所述掩模层一定深度内，所述掩模层阻挡区的材料与所述掩模层的材料的蚀刻速率不同； 在所述光阻层中均匀地形成多个第二切口，以在所述掩模层中形成多个第二暴露区； 根据多个所述掩模层阻挡区和多个所述第二暴露区对所述目标层进行蚀刻，以在所述目标层形成多个接触开口，其中，所述掩模层阻挡区下方的所述目标层区域不形成所述接触开口。
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