株式会社国际电气佐藤崇之获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利衬底处理装置、衬底载置台罩、处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180012211.5，技术领域涉及：H01L21/31；该发明授权衬底处理装置、衬底载置台罩、处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质是由佐藤崇之;室林正季;竹岛雄一郎;和久井友一设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底处理装置、衬底载置台罩、处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质在说明书摘要公布了：衬底处理装置，其具备：供衬底被收容的处理室；衬底载置台，其设置于处理室内，利用加热器而被加热；衬底载置台罩，其是以配置于衬底载置台的上表面之上，在上表面载置衬底的方式构成的，衬底载置台罩由碳化硅构成，至少在载置衬底的一侧的表面具有规定的第1厚度的硅氧化层。
本发明授权衬底处理装置、衬底载置台罩、处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理装置，其具备： 供衬底被收容的处理室； 衬底载置台，其设置于所述处理室内，利用加热器而被加热；和 衬底载置台罩，其构成为配置于所述衬底载置台的上表面之上，在上表面载置所述衬底， 所述衬底载置台罩由碳化硅构成，至少在载置所述衬底的一侧的表面具有规定的第1厚度的硅氧化层， 所述衬底载置台罩在与所述衬底载置台的上表面相对的一侧的表面具有第2厚度的硅氧化层， 在所述衬底载置台罩的与所述衬底载置台相对的一侧的表面，以在与所述衬底载置台相对的一侧的表面的至少一部分与所述衬底载置台的上表面之间形成第2高度的间隙的方式设置有凹部， 所述衬底载置台罩设置为能够相对所述衬底载置台拆装。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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