三星电子株式会社俞炫圭获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110208949.0，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体装置是由俞炫圭;柳志秀;朴在浩设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置。所述半导体装置包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和填充区域。所述半导体装置包括：有源图案，在所述第一单元区域内部在所述第一方向上延伸；栅电极，在所述有源图案上在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；栅极接触，电连接到所述栅电极的上表面；源极漏极接触，电连接到所述有源图案的源极漏极区，所述源极漏极接触与所述栅电极的一侧相邻；连接线路，在所述第一单元区域和所述填充区域上方在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述栅极接触或所述源极漏极接触中的一者；和填充线路，位于所述填充区域内部。还提供一种相关的布图设计方法以及制造方法。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和填充区域，所述半导体装置包括： 有源图案，所述有源图案在所述第一单元区域内部在所述第一方向上延伸； 栅电极，所述栅电极在所述有源图案上在与所述第一方向相交的第二方向上延伸； 栅极接触，所述栅极接触位于所述栅电极的上表面上并且电连接到所述栅电极的所述上表面； 源极漏极接触，所述源极漏极接触位于所述有源图案的源极漏极区上并且电连接到所述有源图案的所述源极漏极区，所述源极漏极接触与所述栅电极的一侧相邻； 连接线路，所述连接线路在所述第一单元区域和所述填充区域上方在所述第一方向上延伸，并且位于所述栅极接触或所述源极漏极接触中的一者上且电连接到所述栅极接触或所述源极漏极接触中的所述一者；和 填充线路，所述填充线路在所述填充区域内部在所述第二方向上延伸，并且位于所述连接线路上且电连接到所述连接线路， 其中，所述栅极接触的上表面和所述源极漏极接触的上表面是共面的，并且 其中，所述填充线路的上表面的高度等于或低于所述连接线路的上表面的高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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