台湾积体电路制造股份有限公司任啟中获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110181730.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体装置及其制造方法是由任啟中;林玉珠;郭原呈;江文智;廖耕颍;董怀仁设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本案提供一种具有金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET元件的半导体装置及其制造方法，半导体装置包括：浮栅层，形成于基板中的沟槽内；穿隧介电层，位于沟槽的侧壁及底部上；控制栅介电层，位于浮栅层的顶表面上；控制栅层，位于控制栅介电层的顶表面上；及侧壁间隔物，位于控制栅介电层及控制栅层的侧壁上。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有金属氧化物半导体场效晶体管元件的半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括： 一第一晶体管结构，包括： 一第一浮栅层，形成于一基板中的一第一浮栅沟槽内，其中该第一浮栅沟槽形成于该基板内，且该第一浮栅层具有一第一高度；以及 一第一穿隧介电层，形成于该第一浮栅沟槽的侧壁及一底部上； 一第二晶体管结构，包括： 一第二浮栅层，形成于该基板中的一第二浮栅沟槽内，其中该第二浮栅沟槽形成于该基板内，且该浮栅层具有一第二高度，其中该第二高度不同于该第一高度；以及 一第二穿隧介电层，形成于该第二浮栅沟槽的侧壁及一底部上； 一控制栅介电层，形成于该第一浮栅层及该第二浮栅层的一顶表面上方；一控制栅层，形成于该控制栅介电层的一顶表面上方；以及 一侧壁间隔物，位于该控制栅介电层及该控制栅层的侧壁上。
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