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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011595840.9，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法是由袁家贵;何云;刘长灵;王登设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法，该方法是在沟槽形成、第一氧化硅层形成以及屏蔽栅形成后，先在沟槽内、沟槽侧壁以及基体表面形成第二氧化硅层，然后通过三次CMP工艺去除基体表面氧化硅层，即：先采用CMP工艺去除基体表面大部分的氧化硅层，再采用对氧化硅层和基体高选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面剩余的氧化硅层，然后采用对氧化硅层和基体低选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面损伤层；去除沟槽内屏蔽栅顶部多余的第二氧化硅层后，在沟槽内形成栅极。本发明采用无ONO的结构，简化了工艺环节，显著降低了制造成本，通过合理的平坦化工艺设计消除了对硅表面造成的损伤。

本发明授权一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1：在基体上形成沟槽，在沟槽侧壁、沟槽底部以及基体表面形成第一氧化硅层； 步骤2：在沟槽内部形成屏蔽栅，令屏蔽栅的上表面低于基体表面； 步骤3：在沟槽内、沟槽侧壁以及基体表面形成第二氧化硅层； 步骤4：对基体表面的氧化硅层进行CMP处理，即：先采用第一次CMP工艺去除基体表面的部分氧化硅层，再采用第二次CMP工艺去除基体表面剩余的氧化硅层，然后采用第三次CMP工艺去除因执行第二次CMP工艺对基体表面造成的损伤层；所述第二次CMP工艺采用的研磨液对氧化硅层和基体的选择比要大于第三次CMP工艺所用研磨液的选择比，所述第一次CMP工艺将基体表面氧化硅层厚度的80％-90％去除掉，第二次CMP工艺将剩余氧化硅层去除掉，第三次CMP工艺将基体连同沟槽内的第二氧化硅层一起磨蚀，磨蚀厚度为 步骤5：去除沟槽内屏蔽栅顶部多余的氧化硅层，令去除后剩余的氧化硅层的上表面低于基体表面； 步骤6：在沟槽内形成栅极。

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