浙江驰拓科技有限公司何世坤获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种磁性存储单元及其的制备方法、磁性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011584035.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁性存储单元及其的制备方法、磁性存储器是由何世坤;郑泽杰;周亚星设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性存储单元及其的制备方法、磁性存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性存储单元的制备方法，通过在预设的自旋轨道矩金属基体前置物表面，向外依次设置磁性自由层、绝缘隧道层、磁性参考层及掩膜层，得到待刻蚀单元；对所述掩膜层、所述磁性参考层、所述绝缘隧道层及所述磁性自由层进行刻蚀，得到包括柱状外延层的刻蚀工件；在所述刻蚀工件表面设置保护层；对设置保护层后的自旋轨道矩金属基体前置物进行定向氧离子处理；对所述外围氧化层进行表面还原；去除所述存储单元预置物的掩膜层上方的保护层，得到磁性存储单元。本发明避免了现有技术中直接生产目标厚度的自旋轨道矩金属基体厚度均匀性差的问题。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的磁性存储单元及磁性存储器。
本发明授权一种磁性存储单元及其的制备方法、磁性存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁性存储单元的制备方法，其特征在于，包括： 在预设的自旋轨道矩金属基体前置物表面，向外依次设置磁性自由层、绝缘隧道层、磁性参考层及掩膜层，得到待刻蚀单元； 对所述掩膜层、所述磁性参考层、所述绝缘隧道层及所述磁性自由层进行刻蚀，得到包括柱状外延层的刻蚀工件； 在所述刻蚀工件表面设置保护层； 对设置保护层后的自旋轨道矩金属基体前置物进行定向氧离子处理，使位于柱状外围区的自旋轨道矩金属基体前置物氧化为外围氧化层； 对所述外围氧化层进行表面还原，使靠近所述柱状外延层一侧的目标厚度的外围氧化层还原为自旋轨道矩金属基体，得到存储单元预置物； 去除所述存储单元预置物的掩膜层上方的保护层，得到磁性存储单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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