TCL科技集团股份有限公司李龙基获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011423461.1，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法是由李龙基设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法，其中，所述复合纳米颗粒包括表面含有羟基的氧化物纳米颗粒以及含有磷氧双键的钝化剂，所述氧化物纳米颗粒表面的羟基与所述钝化剂中的磷氧双键形成氢键。在本发明中，所述钝化剂中的磷氧双键很容易与氧化物纳米颗粒表面的羟基相互作用形成氢键，从而对氧化物纳米颗粒起到钝化作用，减少其表面缺陷。
本发明授权复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合纳米颗粒，其特征在于，包括表面含有羟基的氧化物纳米颗粒以及含有磷氧双键的钝化剂，所述氧化物纳米颗粒表面的羟基与所述钝化剂中的磷氧双键形成氢键；所述钝化剂为三苯基氧化膦衍生物，所述三苯基氧化膦衍生物为，，，或中的一种，其中，R1、R2和R3为大π键基团；所述大π键基团直接与所述三苯基氧化膦连接，或者所述大π键基团通过含有π键的基团与所述三苯基氧化膦连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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