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龙图腾网获悉原子能与替代能源委员会申请的专利包括SPAD光电二极管的图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011301723.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权包括SPAD光电二极管的图像传感器是由诺伯特·穆西;塞德里克·吉鲁加朗波;奥利维尔·萨克斯奥德设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括SPAD光电二极管的图像传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括多个雪崩光电二极管，所述多个雪崩光电二极管具有形成在具有正面和背面的、第一导电类型的半导体基板101的内部和顶部，其中：‑在基板101中从其正面垂直延伸到其背面的沟槽107，所述沟槽107在顶视图中具有横向界定多个基板岛109的连续网格的形状，每个岛109限定像素PIX，所述像素PIX包括单个可单独控制的雪崩光电二极管，并且包括像素光电二极管的雪崩信号的收集的掺杂区域119。

本发明授权包括SPAD光电二极管的图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，所述图像传感器包括多个雪崩光电二极管，所述多个雪崩光电二极管具有形成在具有正面和背面的、第一导电类型的半导体基板（101）的内部和顶部的垂直PN结，其中： -在基板（101）中从其正面垂直延伸到其背面的沟槽（107），所述沟槽（107）在顶视图中具有横向界定多个基板岛（109）的连续网格的形状，每个岛（109）限定像素（PIX），所述像素（PIX）包括单个可单独控制的具有垂直PN结的雪崩光电二极管，并且包括所述像素光电二极管的雪崩信号的收集的掺杂区域（119）； -沟槽（107）的侧壁和底部被涂布第一掺杂多晶硅的半导体层（113），所述第一掺杂多晶硅的半导体层（113）具有与收集区域的导电类型相反的导电类型；并且 -导电区域（115）在所述沟槽中延伸，所述导电区域（115）与第一掺杂多晶硅的半导体层（113）的与所述基板（101）相对的表面接触，所述导电区域（115）形成连续的导电网格，将所有的雪崩光电二极管的阳极区域或阴极区域彼此电连接；以及 -第一掺杂多晶硅的半导体层（113）的导电类型与基板的导电类型相反，基板（101）的每个岛（109）的侧表面与第一掺杂多晶硅的半导体层（113）之间的结限定传感器的雪崩光电二极管的雪崩区域。

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