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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011252721.3，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法是由魏峥颖;范学东;吴智勇设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法，提供均匀分布有像素区和逻辑区的晶圆，将晶圆的表面划分为第一至第四象限；将晶圆的第二象限正对所述刻蚀机台的悬臂梁置于刻蚀腔；对晶圆进行刻蚀，在第一至第四象限的像素区和逻辑区形成相同深度的STI区；将晶圆移出刻蚀机台，并对像素区的STI区覆盖光刻胶；将晶圆重新置于刻蚀腔的静电吸盘上，将晶圆除第二象限以外的其他任意一个象限正对悬臂梁；对晶圆第一至第四象限的逻辑区的STI区继续刻蚀，形成深STI区。本发明将利用STI刻蚀与深STI刻蚀时的角度匹配或者STI及深STI刻蚀时旋转角度来改善面内深度均匀性，从而避免HDP填充出现空洞。

本发明授权一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括： 步骤一、提供晶圆，所述晶圆均匀分布有像素区和逻辑区； 步骤二、以所述晶圆的圆心为直角坐标系的原点，将所述晶圆的表面划分为第一至第四象限； 步骤三、将所述晶圆置于刻蚀机台的刻蚀腔的静电吸盘上，并且将所述晶圆的第二象限正对所述刻蚀机台的悬臂梁； 步骤四、对所述晶圆第一至第四象限的像素区和逻辑区同步进行STI刻蚀，在所述第一至第四象限的所述像素区和逻辑区分别形成相同深度的STI区，所述STI区的深度为H； 步骤五、将所述晶圆移出所述刻蚀机台，并对所述晶圆的第一至第四象限的像素区的所述STI区覆盖光刻胶； 步骤六、将所述晶圆重新置于所述刻蚀机台的刻蚀腔的静电吸盘上，并且将所述晶圆除第二象限以外的其他三个象限中任意一个象限正对所述刻蚀机台的悬臂梁； 步骤七、对所述晶圆第一至第四象限的逻辑区的所述STI区继续刻蚀，形成深STI区，所述深STI区的深度为H+h。

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