买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉松山湖材料实验室申请的专利不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010974842.2，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液是由陈伟;刘尧平;肖川;张小虎;王燕;杜小龙设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液在说明书摘要公布了：本发明公开了一种不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液，抛光液包括氟离子源、含氯的离子源、氧化剂和去离子水。将扩散后的SE单晶硅片放置于所述抛光液中，在温度8℃～40℃下刻蚀30s～240s，对所述SE单晶硅片的绒面进行刻蚀抛光处理，使得金字塔形貌结构上部分被去除，留下金字塔塔基，本发明提供的抛光方法相比于碱抛工艺，工艺简单稳定，与目前的产线刻蚀工艺兼容，无需新增抛光设备，刻蚀、抛光和圆滑修饰效果好，能够圆滑金字塔顶尖和底部以及钝化四棱台平面，反射率可控，而且所采用的抛光液配方合理，不含氮，废液处理成本低，对环保压力小，原料化学药液成本低，易于获得，降低生产成本的同时也减少了对环境的污染。

本发明授权不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法及其抛光液在权利要求书中公布了：1.一种不含氮的晶硅太阳能电池片抛光方法，其特征在于，其包括以下步骤： （1）预备扩散后的SE单晶硅片，该SE单晶硅片上具有布满有金字塔形貌结构的绒面，金字塔形貌结构的底边长1～5微米，高度为0.7～3.5微米； （2）配置抛光液：依次将氟离子源、含氯的离子源、氧化剂和去离子水混合搅拌均匀，获得抛光液；其中所述氟离子源的浓度为0.1molL～8molL，所述含氯的离子源的浓度为0.01molL～13molL，所述氧化剂的浓度为0.01molL～3molL；在抛光液中添加有添加剂，所述抛光液与添加剂的质量比为100:0.2～5；所述添加剂由以下质量分数比组分组成：0.5～5质量份十二烷基硫酸钠、0.2～2质量份硅酸钠、0.5～2质量份苄基三甲基氯化铵、1～3质量份柠檬酸钠、100质量份水； （3）将扩散后的SE单晶硅片放置于所述抛光液中，在温度8℃～40℃下刻蚀30s～240s，对所述SE单晶硅片的绒面进行刻蚀抛光处理，使得金字塔形貌结构上部分被去除，留下金字塔塔基，金字塔塔基的外形轮廓为四边形，边长1～5微米，高度0.1～1微米。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人松山湖材料实验室，其通讯地址为：523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。