应用材料以色列公司R·克里斯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉应用材料以色列公司申请的专利评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010921120.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品是由R·克里斯;V·维利沙金;A·沙米尔;E·萨默;S·杜夫德瓦尼-巴;M·L·C·林设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品在说明书摘要公布了：用于评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品的方法、非瞬态计算机可读介质和评估系统。评估系统可包括成像器和处理电路。成像器可配置成经由开放间隙获得属于中间产品的结构元件的一部分的电子图像。结构元件可以包括一系列层，所述一系列层可以包括顶层，所述顶层后跟交替的非导电层和凹陷的导电层。成像器可包括电子光学器件，所述电子光学器件配置成使用电子束扫描结构元件的一部分，所述电子束倾斜于开放间隙的纵轴。处理电路配置成基于电子图像评估中间产品。开放间隙a展现出高深宽比，b具有纳米量级尺度的宽度，并且c形成在中间产品的结构元件之间。
本发明授权评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品在权利要求书中公布了：1.一种评估系统，包括： 成像器，所述成像器配置成经由开放间隙获得属于中间产品的结构元件的一部分的电子图像，所述中间产品通过三维NAND存储器单元的制造工艺的一个或多个制造阶段来制造，所述结构元件包括一系列层，所述一系列层包括顶层，所述顶层后跟交替的非导电层和凹陷的导电层，其中所述成像器包括电子光学器件，所述电子光学器件配置成使用电子束扫描所述结构元件的所述部分，所述电子束倾斜于所述开放间隙的纵轴；以及 处理电路，所述处理电路配置成基于所述电子图像评估所述中间产品； 其中所述开放间隙a展现出高深宽比，b具有纳米量级尺度的宽度，并且c形成在所述中间产品的结构元件之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料以色列公司，其通讯地址为：以色列瑞哈佛特市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号