厦门三安光电有限公司刘小亮获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利半导体发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210824605.7，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权半导体发光二极管及其制备方法是由刘小亮;朱秀山;黄敏;郑高林;何安和;彭康伟;林素慧设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：半导体发光二极管及其制备方法。所述半导体发光二极管包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层；还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上。所述半导体发光二极管内部的反射层不易发生剥离问题。
本发明授权半导体发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光二极管，包括半导体发光叠层及位于所述半导体发光叠层之上的绝缘层，其特征在于：所述绝缘层包括第一区域及与所述第一区域连接的第二区域，所述第一区域具有第一表面，第二区域具有第二表面，其中第一表面低于第二表面，且第一表面与第二表面之间具有连接侧面，在所述绝缘层的第一区域上设置有反射层，所述反射层的边缘位于所述连接侧面上；所述连接侧面为斜侧面；所述反射层的边缘均被具有所述斜侧面的所述绝缘层包围。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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