东京毅力科创株式会社青木裕介获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利处理基板的方法、器件制造方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010794270.X，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权处理基板的方法、器件制造方法及等离子体处理装置是由青木裕介;户花敏胜;森北信也;中村谕设计研发完成，并于2020-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理基板的方法、器件制造方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种处理基板的方法，其包括a向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有被图案化的有机掩模。该方法还包括b在将基板容纳于腔室内的状态下，在腔室内由处理气体生成等离子体的工序。该方法还包括c在生成等离子体的工序即b的执行中，向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性的直流电压的工序。在施加脉冲状的负极性的直流电压的工序中，向上部电极供应源自等离子体的离子而将从上部电极释放的含硅物质沉积到基板上。
本发明授权处理基板的方法、器件制造方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种处理基板的方法，其包括： a向等离子体处理装置的腔室内提供具有被图案化的有机掩模的基板的工序； b在将所述基板容纳于所述腔室内的状态下，在该腔室内由处理气体生成等离子体的工序；及 c在所述b的执行中，从直流电源装置向所述等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性的直流电压而向所述上部电极供应源自所述等离子体的离子，由此使从该上部电极释放的含硅物质沉积到所述基板上的工序， 在一周期内对所述上部电极施加所述脉冲状的负极性的直流电压的时间所占的比例即占空比为0.2以上且0.5以下， 将所述脉冲状的负极性的直流电压施加到所述上部电极的周期的倒数即频率为400kHz以上且1MHz以下， 将所述脉冲状的负极性的直流电压施加到所述上部电极的周期的倒数即频率比用于生成所述等离子体的高频电力的频率低。
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