三星钻石工业株式会社冈本浩和获国家专利权
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龙图腾网获悉三星钻石工业株式会社申请的专利形成槽的方法和形成槽的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010691697.7，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权形成槽的方法和形成槽的装置是由冈本浩和设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成槽的方法和形成槽的装置在说明书摘要公布了：本发明涉及形成槽的方法和形成槽的装置，对包含第一层、形成在第一层上的第二层半导体层、形成在第二层上的第三层透明电极层的层结构薄膜太阳能电池的第二层和第三层同时进行激光加工来形成槽，减少第三层的剥离。P3工序中对包含背面电极层23、形成在背面电极层23上的光吸收层25、形成在光吸收层25上的透明导电膜27的层结构的光吸收层25和透明导电膜27同时进行激光加工来形成第三分割槽27a。第一工序中在透明导电膜27的预定形成槽的部分27b的局部形成贯穿至光吸收层25的通气通道33。第二工序在第一工序后，通过对光吸收层25的预定形成槽的部分25b和透明导电膜27的预定形成槽的部分27b进行激光加工来形成第三分割槽27a。
本发明授权形成槽的方法和形成槽的装置在权利要求书中公布了：1.一种形成槽的方法，对包含第一层、形成在所述第一层上的第二层、形成在所述第二层上的第三层的层结构的所述第二层和所述第三层同时进行激光加工来形成槽，具有： 第一工序，在所述第三层的预定形成槽的部分的局部形成贯穿至所述第二层的通气通道；以及， 第二工序，在所述第一工序后，通过对所述第二层的预定形成槽的部分和所述第三层的所述预定形成槽的部分进行激光加工来形成所述槽， 所述层结构是薄膜太阳能电池，所述第二层是半导体层，所述第三层是透明电极层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星钻石工业株式会社，其通讯地址为：日本大阪府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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