世界先进积体电路股份有限公司谭鸿志获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利高压半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010525855.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权高压半导体装置是由谭鸿志;刘兴潮;杨晓莹;廖志成设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压半导体装置在说明书摘要公布了：一种高压半导体装置，包含基底、埋层、汲极区域、源极区域、闸极以及至少一浓度调变区。该基底具有第一导电类型，该埋层设置于该基底内并具有第二导电类型。该汲极区域与源极区域设置于该基底内并位于该埋层上方，而该闸极则设置在该基底上，位于该源极区域与该汲极区域之间。该至少一浓度调变区设置在局部的埋层内，并位于该汲极区域下方，其中，该至少一浓度调变区具有该第二导电类型，且该至少一浓度调变区的掺杂浓度小于该埋层的掺杂浓度。
本发明授权高压半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种高压半导体装置，包含： 一基底，具有一第一导电类型； 一埋层，设置于所述基底内，所述埋层具有一第二导电类型，且所述第二导电类型与所述第一导电类型互补； 一汲极区域，设置于所述基底内并位于所述埋层上方，所述汲极区域具有所述第一导电类型； 一源极区域，设置于所述基底内并位于所述埋层上方，所述源极区域具有所述第一导电类型； 一闸极，设置在所述基底上，位于所述源极区域与所述汲极区域之间；以及 至少一浓度调变区，设置在局部的所述埋层内，所述至少一浓度调变区位于所述汲极区域的下方并具有所述第二导电类型，且所述至少一浓度调变区的掺杂浓度小于所述埋层的掺杂浓度， 其中，所述至少一浓度调变区为复数个，复数个浓度调变区包含沿着一第一方向延伸的第一浓度调变区，以及沿着一第二方向延伸的第二浓度调变区，所述第二浓度调变区横跨所述第一浓度调变区，且所述第一方向不同于所述第二方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人世界先进积体电路股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号