盛美半导体设备(上海)股份有限公司王晖获国家专利权
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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利去除阻挡层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010519561.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权去除阻挡层的方法是由王晖;张洪伟;代迎伟;金一诺;王坚设计研发完成，并于2020-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本去除阻挡层的方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，去除单层金属钌阻挡层，包括：氧化步骤，使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层；氧化层刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀，去除钌氧化物层。本发明还提出去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，用于10nm及以下的工艺节点的结构中，结构包括衬底、介质层、阻挡层和金属层，介质层沉积在衬底上，介质层上形成凹进区，阻挡层沉积在介质层上，金属层沉积在阻挡层上，金属层是铜层，阻挡层是单层金属钌层，该方法包括：减薄步骤，对金属层进行减薄；去除步骤，去除金属层；氧化步骤，对阻挡层进行氧化，氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺；氧化层刻蚀步骤，刻蚀氧化后的阻挡层。
本发明授权去除阻挡层的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，其特征在于，用于10nm及以下的工艺节点，用于去除沉积在介质层和铜层之间的单层金属钌阻挡层，该方法包括： 氧化步骤，将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层，所述氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺对金属钌阻挡层进行氧化； 氧化层刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀，去除钌氧化物层； 其中，所述氧化层刻蚀步骤中使用的刻蚀液是质量分数为0.01％～1wt％的HF，刻蚀液对于钌氧化物层和介质层的刻蚀速率比大于0.62:1，介质层材料为SiO2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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