应用材料公司孙顒获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080041799.2，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法是由孙顒;J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;S·S·奥哈设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法在说明书摘要公布了：一种对在基板的表面上形成的氮化硅SiN基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅SiN基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅SiN基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体。含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，且含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的通量密度在5×1015个离子cm2·秒与1.37×1016个离子cm2·秒之间。
本发明授权以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种对在基板的表面上形成的氮化硅SiN基的介电膜进行后处理的方法，包括： 将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的氮化硅SiN基的介电膜；以及 使所述氮化硅SiN基的介电膜在所述处理腔室中暴露于含氦等离子体，其中 所述含氦等离子体中的多个氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，并且 所述含氦等离子体中的所述氦离子的通量密度在5×1015个离子cm2·秒与1.37×1016个离子cm2·秒之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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