三星电子株式会社金熙中获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111354727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911326698.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权制造半导体装置的方法是由金熙中;金根楠;黄有商设计研发完成，并于2019-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体装置的方法包括：堆叠第一模塑层和第一支撑件层；通过对第一支撑件层进行蚀刻来形成第一支撑件图案，以暴露出第一模塑层；形成绝缘层以覆盖暴露的第一模塑层和第一支撑件图案；在绝缘层上堆叠第二模塑层和第二支撑件层；通过对第二支撑件层、第二模塑层、绝缘层、第一支撑件图案和第一模塑层进行干法蚀刻来形成接触孔；在接触孔内形成下电极；去除第一模塑层、第二模塑层和绝缘层；以及在下电极和第一支撑件图案上形成上电极，其中，在干法蚀刻期间，第一支撑件图案的干法蚀刻速率与绝缘层的干法蚀刻速率相同。
本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括步骤： 在衬底上顺序地堆叠第一模塑层和第一支撑件层； 通过对所述第一支撑件层进行蚀刻来形成第一支撑件图案，以暴露出所述第一模塑层的上表面的至少一部分； 形成绝缘层以覆盖所述第一模塑层的暴露的上表面和所述第一支撑件图案； 在所述绝缘层上顺序地堆叠第二模塑层和第二支撑件层； 通过掩模图案对所述第二支撑件层、所述第二模塑层、所述绝缘层、所述第一支撑件图案的至少一部分和所述第一模塑层进行干法蚀刻，来形成接触孔； 在所述接触孔内形成下电极； 去除所述第一模塑层、所述第二模塑层和所述绝缘层；以及 在所述下电极和所述第一支撑件图案上形成上电极， 其中，在所述干法蚀刻期间，所述第一支撑件图案的干法蚀刻速率与所述绝缘层的干法蚀刻速率相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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