福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911235742.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由童宇诚;赖惠先;林昭维;朱家仪设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在利用位线组和隔离线组界定出节点接触窗阵列的基础上，还进一步设置辅助线，以利用辅助线界定出辅助接触窗在节点接触窗阵列的外围，此时基于该辅助接触窗，即可以有效均衡节点接触窗阵列中边缘区域和中间区域的节点接触窗的排布密度，提高了位于边缘区域的节点接触窗的形貌精度，并可进一步提高了位于边缘区域的节点接触窗和位于中间区域的节点接触窗的形貌均匀性。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上定义有记忆体区和位于所述记忆体区外周围的周边区； 位线组，形成在所述衬底上并至少位于所述记忆体区中，以及所述位线组包括多条位线，所述位线沿着第一方向延伸，多条所述位线沿着第二方向依次间隔排布； 隔离线组，形成在所述衬底上并至少位于所述记忆体区中，以及所述隔离线组包括多条隔离线，所述隔离线沿着第二方向延伸，多条所述隔离线沿着第一方向依次间隔排布，并使所述隔离线与所述位线相交，以界定出节点接触窗阵列在所述记忆体区中； 多条辅助线，形成在所述衬底的所述周边区中，用于界定出多个辅助接触窗在所述周边区中，多个所述辅助接触窗位于所述节点接触窗阵列的外周围； 所述位线还在其延伸方向上从所述记忆体区延伸至所述周边区；以及，所述多条辅助线包括若干第一辅助线，所述若干第一辅助线沿着第一方向排布在所述隔离线组的外侧，以及所述第一辅助线沿着第二方向延伸，并使所述位线中延伸至所述周边区的部分和所述第一辅助线相交，以界定出所述辅助接触窗在所述周边区中；其中，所述节点接触窗中填充有导电材料，以构成节点接触部；所述辅助接触窗中填充有绝缘材料，以构成辅助填充柱。
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