福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其电接触结构与制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910926990.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其电接触结构与制造方法是由童宇诚;詹益旺;黄永泰;方晓培;吴少一设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其电接触结构与制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其电接触结构与制造方法，通过使得形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，来在核心元件区的边界处形成顶部横截面积较大的组合接触结构，由此，为后续在核心元件区的边界处的接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量，使得该边界处的所述电学结构的尺寸增大，降低接触阻抗，且通过该边界处尺寸增大的所述电学结构的，缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异，改善光学邻近效应，保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性，并防止所述边界处的接触插塞上方的电学结构出现坍塌，提高器件性能。
本发明授权半导体器件及其电接触结构与制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述电接触结构包括： 多个接触插塞，形成于所述半导体器件的核心元件区的核心元件的上方，且各个所接触插塞的底部与相应的核心元件的有源区接触， 其中，形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，且所述顶部相联在一起的接触插塞中包括所述边界处最外侧的接触插塞； 所述半导体器件还包括多个电容结构，形成于所述多个接触插塞的上方，且所述顶部相联在一起的接触插塞和相应的一个所述电容结构电性接触； 所述边界处的电容结构具有第一宽度，所述核心元件区的所述边界处以内的电容结构具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。
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