英特尔公司G·A·格拉斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于锗NMOS晶体管的源/漏扩散阻挡部获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111066151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094218.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权用于锗NMOS晶体管的源/漏扩散阻挡部是由G·A·格拉斯;A·S·默西;K·贾姆布纳坦;C·C·邦伯格;T·加尼;J·T·卡瓦列罗斯;B·舒-金;S·H·宋;S·舒克赛设计研发完成，并于2017-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于锗NMOS晶体管的源/漏扩散阻挡部在说明书摘要公布了：公开了集成电路晶体管结构，其在制造期间减少了从锗n‑MOS器件的源极区域和漏极区域到相邻的浅沟槽隔离STI区域的n型掺杂剂扩散，例如磷或砷。n‑MOS晶体管器件可以包括按原子百分比计至少75％的锗。在示例实施例中，该结构包括沉积在n‑MOS晶体管和STI区域之间的中间扩散阻挡部，以提供掺杂剂扩散减少。在一些实施例中，扩散阻挡部可以包括二氧化硅，该二氧化硅具有按原子百分比计在5％和50％之间的碳浓度。在一些实施例中，可以使用化学气相沉积CVD、原子层沉积ALD或物理气相沉积PVD技术来沉积扩散阻挡层，以实现在1‑5纳米范围中的扩散阻挡层厚度。
本发明授权用于锗NMOS晶体管的源/漏扩散阻挡部在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC，包括： 半导体主体，包括按原子百分比计至少75％的锗； 所述半导体主体上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极电介质和栅极电极； 源极区域和漏极区域，均与所述栅极结构相邻，使得所述栅极结构在所述源极区域与所述漏极区域之间，所述源极区域和所述漏极区域中的至少一者包括n型杂质； 浅沟槽隔离STI区域，与所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一者相邻；以及 绝缘材料层，在所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一者与所述STI区域之间，其中，所述绝缘材料层与所述STI区域不同，并且其中，所述绝缘材料层包括硅、氧和碳。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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