三星电子株式会社吴旼哲获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310300354.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由吴旼哲;朴世镇设计研发完成，并于2017-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成有源图案，该衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域；以及在衬底上形成暴露有源图案的上部的器件隔离层。形成有源图案包括：形成在第一方向上彼此平行地延伸并跨过第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域的第一线掩模图案；在第一线掩模图案上形成上分隔掩模图案，上分隔掩模图案包括交叠第一线掩模图案中的至少两个的第一开口；从该至少两个第一线掩模图案形成第一硬掩模图案；以及蚀刻衬底以形成限定有源图案的沟槽。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，其包括沿着第一方向彼此相邻的第一单元区域和第二单元区域，第一单元边界插置在其间并沿着交叉所述第一方向的第二方向延伸； 第一有源图案，其沿着所述第二方向布置在所述第一单元区域和所述第二单元区域上，所述第一有源图案的每个沿着所述第一方向延伸但是不交叉所述第一单元边界； 器件隔离层，其在所述衬底上并暴露所述第一有源图案的上部，所述器件隔离层包括： 第一双扩散中断区域，其被设置在所述第一单元边界上并在位于不同的单元区域上且沿着所述第一方向彼此相邻的成对的第一有源图案之间，所述第一有源图案为至少两对；以及 第一单扩散中断区域，其被设置在从由所述第一单元区域和所述第二单元区域构成的组中选择的至少一个上，并在位于相同单元区域上且沿着所述第一方向彼此相邻的成对的第一有源图案之间；以及 第一栅极图案，其交叉所述第一有源图案；以及 第一源极漏极区域，其在所述第一栅极图案与所述第一单扩散中断区域之间的所述第一有源图案的上部中，其中所述第一源极漏极区域包括外延层并且具有从所述第一栅极图案向下延伸到所述第一单扩散中断区域的倾斜表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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