新毅东(北京)科技有限公司张琪获国家专利权
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龙图腾网获悉新毅东(北京)科技有限公司申请的专利光刻机的曝光剂量计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120491403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510990566.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻机的曝光剂量计算方法是由张琪;符友银;赵天琦;张国军设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻机的曝光剂量计算方法在说明书摘要公布了：本申请涉及光刻机技术领域，更为具体地说，涉及一种光刻机的曝光剂量计算方法，提供了一种光刻机的曝光剂量计算方法，该光刻机的曝光剂量计算方法包括：在匀光系统两端的第一分光棱镜和第二分光棱镜处分别设置第一反射率传感器和第二反射率传感器以获得光源发出的光经硅片、物镜和掩膜版反射后从第一分光棱镜和第二分光棱镜的斜边透射出的辐射通量；基于所述第一分光棱镜和所述第二分光棱镜采集到的辐射通量分别确定所述匀光系统对光线能量的折损率、所述硅片的反射率和所述物镜的反射率；以及，基于所述匀光系统对光线能量的折损率、所述硅片的反射率和所述物镜的反射率确定辐射通量。这样，可以结合曝光时间精确且快速实时地计算出曝光剂量。
本发明授权光刻机的曝光剂量计算方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻机的曝光剂量计算方法，其中，包括： 在匀光系统两端的第一分光棱镜和第二分光棱镜处分别设置第一反射率传感器和第二反射率传感器以获得光源发出的光经硅片、物镜和掩膜版反射后从第一分光棱镜和第二分光棱镜的斜边透射出的辐射通量； 基于所述第一分光棱镜和所述第二分光棱镜采集到的辐射通量分别确定所述匀光系统对光线能量的折损率、所述硅片的反射率和所述物镜的反射率；以及， 基于所述匀光系统对光线能量的折损率、所述硅片的反射率和所述物镜的反射率，通过以下公式确定辐射通量： ； 其中，E曝光为硅片上曝光单个点位的曝光辐射通量，E光源为光源发射出的辐射通量，η匀光为所述匀光系统对光线能量的折损率，R硅片为所述硅片的单次反射率，R物镜为所述物镜的单次反射率，m为光线在曝光系统中传播后经过m次衰减后辐射通量减少到近乎为0的次数，n为从光源反射的光进入曝光系统中的次数。
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