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龙图腾网获悉深圳市华芯半导体装备技术有限公司申请的专利一种用于芯片制造的温度控制系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120469519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510983935.4，技术领域涉及：G05D23/24；该发明授权一种用于芯片制造的温度控制系统和方法是由夏裕;杨明静设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于芯片制造的温度控制系统和方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于芯片制造的温度控制系统和方法，该系统包括：负载单元，用于承载待制造芯片，其中，负载单元的温度与电阻值相关；电流测量单元，与负载单元电连接，用于获取负载单元的实时电流；电压测量单元，与负载单元电连接，用于获取负载单元的实时电压；控制单元，与负载单元电连接，与电流测量单元和电压测量单元信号连接，用于根据实时电流、实时电压以及预设的目标电阻确定待调整功率，并基于待调整功率控制负载单元的交流电源在每个半周期内的导通时间。

本发明授权一种用于芯片制造的温度控制系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于芯片制造的温度控制系统，其特征在于，包括： 负载单元，用于承载待制造芯片，其中，所述负载单元的温度与电阻值相关； 电流测量单元，与所述负载单元电连接，用于获取所述负载单元的实时电流； 电压测量单元，与所述负载单元电连接，用于获取所述负载单元的实时电压； 控制单元，与所述负载单元电连接，与所述电流测量单元和所述电压测量单元信号连接，用于根据所述实时电流、所述实时电压以及预设的目标电阻确定待调整功率，并基于所述待调整功率控制所述负载单元的交流电源在每个半周期内的导通时间； 其中，所述电流测量单元包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第一隔离放大器、第一运算放大器和第一瞬态电压抑制二极管； 其中，所述第五电阻的第一端与所述第六电阻的第一端电连接，所述第五电阻的第二端与所述第七电阻的第一端电连接；所述第六电阻的第二端分别与所述第五电容的第一端、所述第七电容的第二端和所述第一隔离放大器的第二端电连接；所述第七电阻的第二端分别与所述第六电容的第一端、第七电容的第一端和所述第一隔离放大器的第一端电连接；所述第五电容的第一端与所述第七电容的第二端电连接，所述第六电容的第一端与第七电容的第一端电连接；所述第一隔离放大器的第一端分别与所述第八电容的第一端和所述第九电容第一端电连接，所述第八电容和所述第九电容并联；所述第一隔离放大器的第三端分别与所述第十电容的第一端、所述第十一电容的第一端和所述第八电阻的第一端电连接；所述第一隔离放大器的第四端与所述第九电阻的第一端电连接；所述第八电阻的第二端分别与所述第十电阻的第一端和所述第十二电容的第一端电连接；所述第九电阻的第二端分别与所述第十一电阻的第一端和所述第十二电容的第二端电连接；所述第十电阻的第二端分别与所述第十二电阻的第一端和所述第一运算放大器的第一端电连接；所述第十一电阻的第二端分别与所述第十三电阻的第一端和所述第一运算放大器的第二端电连接；所述第一运算放大器的第三端分别与所述第十二电阻的第二端、所述第一瞬态电压抑制二极管的第一端和所述第十三电容的第二端电连接。

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