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龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种集成N-PolySi/N-SiC异质结SiC MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510983608.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种集成N-PolySi/N-SiC异质结SiC MOSFET及其制备方法是由刘青;张朝阳设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成N-PolySi/N-SiC异质结SiC MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成N‑PolySiN‑SiC异质结SiCMOSFET及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域，本发明的集成N‑PolySiN‑SiC异质结SiCMOSFET，在n‑SiC漂移区的表面刻蚀形成浅沟槽，通过淀积覆盖浅沟槽的N‑PolySi的肖特基接触电极，与n‑SiC漂移区之间形成浅槽型的N‑PolySiN‑SiC异质结结构，降低肖特基势垒高度，提升器件的抗浪涌电流能力，降低第三象限的导通压降，减小损耗。在JFET区也具有浅沟槽，使得JFET区正上方区域的栅氧化层厚度增加，从而降低JFET区上方的栅氧电场，提高器件的抗雪崩能力。

本发明授权一种集成N-PolySi/N-SiC异质结SiC MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成N-PolySiN-SiC异质结SiCMOSFET，其特征在于，包括： 自下而上层叠设置的漏极（14）、n+-SiC衬底（1）和n-SiC漂移区（2）； 所述n-SiC漂移区（2）的上表面设置有多个间隔排布的沟槽（3），所述沟槽（3）两侧的n-SiC漂移区（2）的内部设置有Pwell区（4），靠近器件两侧边缘的两个Pwell区（4）之间为JFET区； 所述Pwell区（4）内设置有N+区（5）和P+区（6），其中，所述N+区（5）和所述P+区（6）相邻设置，所述N+区（5）靠近所述JFET区，所述P+区（6）远离于所述JFET区； 所述JFET区的沟槽（3）的内部、n-SiC漂移区（2）的上表面、Pwell区（4）的上表面以及N+区（5）的部分上表面设置有栅氧化层（7）； 所述栅氧化层（7）上设置有栅极（8），所述栅极（8）的顶部和侧壁设置有隔离介质（9）； 所述P+区（6）的上表面和所述N+区（5）的部分上表面设置有欧姆接触电极（10），靠近器件中间的两个欧姆接触电极（10）之间的n-SiC漂移区（2）上设置有肖特基接触电极（11），所述肖特基接触电极（11）覆盖所述沟槽（3）；所述肖特基接触电极（11）的材料为N-PolySi；所述欧姆接触电极（10）和所述肖特基接触电极（11）通过互连金属（12）相连； 靠近器件两侧的所述互连金属（12）的部分上表面设置有钝化层（13）。

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