重庆云潼科技有限公司廖光朝获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种功率基板、功率模块及功率模块的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510967365.X，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权一种功率基板、功率模块及功率模块的制备方法是由廖光朝;王友强;王炳琨;刘继平设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率基板、功率模块及功率模块的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率基板、功率模块及功率模块的制备方法，应用于功率器件技术领域，包括：散热结构；散热结构包括散热金属板，散热金属板一侧表面设置有凹槽；固定于凹槽底面的绝缘层；设置于绝缘层远离散热金属板一侧表面的电气连接层；电气连接层的顶面与凹槽底面的距离不小于凹槽的深度，电气连接层与凹槽的侧壁相互隔离。通过在散热金属板刻蚀凹槽，并在槽内直接设置绝缘层的方式，可以减少传统金属连接层的设置以及降低绝缘层到散热金属板底面的距离，从而降低散热路径，增加散热效率。同时设置电气连接层的顶面与凹槽底面的距离不小于凹槽的深度，使得功率芯片所处位置可以高于散热金属板，有利于功率模块体积的减少。
本发明授权一种功率基板、功率模块及功率模块的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率基板，其特征在于，包括： 散热结构；所述散热结构包括散热金属板，所述散热金属板一侧表面设置有凹槽； 固定于所述凹槽底面的绝缘层； 设置于所述绝缘层远离所述散热金属板一侧表面的电气连接层；所述电气连接层的顶面与所述凹槽底面的距离不小于所述凹槽的深度，所述电气连接层与所述凹槽的侧壁相互隔离； 所述绝缘层包括与待键合的功率芯片中衬底材质相同的主体层，所述主体层至少在设置有所述电气连接层的表面设置有绝缘膜层，所述电气连接层通过所述绝缘膜层与所述主体层隔离； 所述电气连接层为在第一温度下固定功率芯片时具有流动性的金属层，在焊接功率芯片时具有流动性的电气连接层填充绝缘层与功率芯片之间的间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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